Infineon 600V CoolMOS P7 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 650 V / 9 A, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 218-3017
- Herst. Teile-Nr.:
- IPAW60R360P7SXKSA1
- Marke:
- Infineon
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 218-3017
- Herst. Teile-Nr.:
- IPAW60R360P7SXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | 600V CoolMOS P7 | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 360mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie 600V CoolMOS P7 | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 360mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon Serie 600V CoolMOS TM P7. Er hat extrem niedrige Schalt- und Leitungsverluste, was Schaltanwendungen noch effizienter, kompakter und wesentlich kühler macht. Die Plattform CoolMOS TM der 7. Generation ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Superjunction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde.
Geeignet für hartes und weiches Schalten (PFC und LLC) Aufgrund einer hervorragenden Kommutierungsbeständigkeit
Deutliche Reduzierung von Schalt- und Leitungsverlusten
Ausgezeichnete ESD-Robustheit >von 2 kV (HBM) für alle Produkte
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