Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 80 A 190 W, 3-Pin IPP80N06S209AKSA2 TO-220

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Herst. Teile-Nr.:
IPP80N06S209AKSA2
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

80A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

OptiMOS

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

9.1mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

190W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

60nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

4.57 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

9.45mm

Länge

10.36mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon 55-V-N-Kanal-MOSFET für die Automobilindustrie. Dieser MOSFET wird in der Ventilsteuerung, Magnetventilsteuerung, Beleuchtung, einseitigen Motoren usw. verwendet

N-Kanal - Anreicherungstyp

175 °C Betriebstemperatur

100 % Lawinenprüfung

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