Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 23 A 341 W, 3-Pin TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Aufgrund einer herstellerseitigen Produktionseinstellung wissen wir nicht, ob dieser Artikel wieder vorrätig sein wird.
Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
218-3128
Herst. Teile-Nr.:
IRLR2703TRPBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

23A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

65mΩ

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

162nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Verlustleistung Pd

341W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

5.31mm

Höhe

20.7mm

Länge

15.87mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon HEXFET-Serie. Sie nutzt Advanced Processing Techniken, um den geringstmöglichen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser MOSFET wurde für die Oberflächenmontage mit Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlötverfahren entwickelt.

Sehr niedriger Einschaltwiderstand

Fast Switching

Voll-Avalanche-Bewertung

Ohne Leitung

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.