STMicroelectronics STL260N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 120 A 188 W, 8-Pin PowerFLAT
- RS Best.-Nr.:
- 219-4230
- Herst. Teile-Nr.:
- STL260N4LF7
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.16.12
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF.3.224 | CHF.16.13 |
| 25 - 45 | CHF.3.066 | CHF.15.33 |
| 50 - 120 | CHF.2.762 | CHF.13.79 |
| 125 - 245 | CHF.2.615 | CHF.13.09 |
| 250 + | CHF.2.552 | CHF.12.75 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 219-4230
- Herst. Teile-Nr.:
- STL260N4LF7
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 120A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | PowerFLAT | |
| Serie | STL260N | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 110mΩ | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 42nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 188W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1mm | |
| Länge | 6mm | |
| Breite | 5 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 120A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße PowerFLAT | ||
Serie STL260N | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 110mΩ | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 42nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 188W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1mm | ||
Länge 6mm | ||
Breite 5 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der STMicroelectronics N-Kanal-Leistungs-MOSFET nutzt die STripFET F7-Technologie mit einer verbesserten Trench Gate-Struktur, die einen sehr niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand bewirkt, während gleichzeitig die interne Kapazität und Gate-Ladung für schnelleres und effizienteres Schalten reduziert werden.
Zu den niedrigsten RDS(on) auf dem Markt
Ausgezeichnetes Schaumstoff (Leistungszahl)
Niedriges Crss/Ciss Verhältnis für elektromagnetische Störfestigkeit
Hohe Lawinenbeständigkeit
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