Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 700 V / 145 A, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 220-7391
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB65R065C7ATMA2
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
CHF.15.898
Auf Lager
- 850 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | CHF.7.949 | CHF.15.90 |
| 10 - 18 | CHF.6.848 | CHF.13.69 |
| 20 - 48 | CHF.6.363 | CHF.12.73 |
| 50 - 98 | CHF.5.969 | CHF.11.94 |
| 100 + | CHF.5.484 | CHF.10.97 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 220-7391
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB65R065C7ATMA2
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET & Diode | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 145A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 700V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 65mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET & Diode | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 145A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 700V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie CoolMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 65mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon Cool MOS C7 Super Junction MOSFET-Serie ist ein revolutionärer Technologieschritt, der den weltweit niedrigsten RDS(on)/Gehäuse bietet und dank seiner geringen Schaltverluste Effizienzverbesserungen über den Volllastbereich hinweg bietet.
650 V Spannung
Revolutionäres Best-in-Class R DS(on)/Gehäuse
Geringere Energiespeicherung in der Ausgangskapazität (Eoss)
Niedrigere Gate-Ladung Qg.
Platzsparend durch Einsatz kleinerer Gehäuse oder Reduzierung von Teile
Verwandte Links
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 700 V / 145 A, 3-Pin TO-263
- Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET & Diode Erweiterung 700 V / 145 A 171 W, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 650 V / 57.2 A, 3-Pin TO-263
- Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 650 V / 151 A, 3-Pin TO-263
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 700 V / 19 A, 3-Pin TO-263
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 700 V / 50 A, 3-Pin TO-263
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET P 700 V / 25 A, 3-Pin TO-263
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 700 V / 15 A, 3-Pin TO-263