Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 900 V / 15 A 208 W, 3-Pin IPB90R340C3ATMA2 TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 220-7397
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB90R340C3ATMA2
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|---|
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| 20 - 48 | CHF.4.788 | CHF.9.59 |
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- RS Best.-Nr.:
- 220-7397
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB90R340C3ATMA2
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET & Diode | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 15A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 900V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 340mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 94nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 208W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.31mm | |
| Höhe | 4.57mm | |
| Breite | 9.45 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET & Diode | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 15A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 900V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie CoolMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 340mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 94nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 208W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.31mm | ||
Höhe 4.57mm | ||
Breite 9.45 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon 900V Cool MOS C3 ist die dritte Serie von Cool MOS von Infineon mit Markteintritt im Jahr 2001. C3 ist das "Arbeitspferd" des Portfolios.
Niedriger spezifischer Betriebswiderstand (RDS(on) * A)
Sehr geringe Energiespeicherung in Ausgangskapazität (Eoss) bei 400 V
Niedrige Gate-Ladung (Qg)
Bewährte Cool MOS TM-Qualität
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