Teile-Nr.

Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 900 V / 15 A 208 W, 3-Pin TO-263

RS Best.-Nr.:: 220-7396
Herst. Teile-Nr.:: IPB90R340C3ATMA2
Marke:: Infineon

Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 900 V / 15 A 208 W, 3-Pin TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Zwischensumme (1 Rolle mit 1000 Stück)*

CHF.2’730.00

Vorübergehend ausverkauft

Versand ab 30. April 2026

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
1000 +	CHF.2.73	CHF.2’725.80

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 220-7396
Herst. Teile-Nr.:: IPB90R340C3ATMA2
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET & Diode
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	15A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	900V
	Serie	CoolMOS
	Gehäusegröße	TO-263
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	340mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	94nC
	Maximale Verlustleistung Pd	208W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	4.57mm
	Breite	9.45 mm
	Länge	10.31mm
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET & Diode
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 15A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 900V
	Serie CoolMOS
	Gehäusegröße TO-263
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 340mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 94nC
	Maximale Verlustleistung Pd 208W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 4.57mm
	Breite 9.45 mm
	Länge 10.31mm
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet - IPB90R340C3ATMA2

Der Infineon 900V Cool MOS C3 ist die dritte Serie von Cool MOS von Infineon mit Markteintritt im Jahr 2001. C3 ist das "Arbeitspferd" des Portfolios.

Niedriger spezifischer Betriebswiderstand (RDS(on) * A)

Sehr geringe Energiespeicherung in Ausgangskapazität (Eoss) bei 400 V

Niedrige Gate-Ladung (Qg)

Bewährte Cool MOS TM-Qualität

Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 900 V / 15 A 208 W, 3-Pin TO-263

Verwandte Links