Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 60 V / 30 A 36 W, 3-Pin IPD30N06S4L23ATMA2 TO-252

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Herst. Teile-Nr.:
IPD30N06S4L23ATMA2
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET & Diode

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

OptiMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

23mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

16.1nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Verlustleistung Pd

36W

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

6.73mm

Höhe

2.41mm

Breite

6.22 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Infineon bietet eine Vielzahl von N-Kanal-Kfz-qualifizierten Leistungs-MOSFETs mit 55 V bis 60 V und der neuen OptiMOS-Technologie in einer Vielzahl von Gehäusen und RDS(on) von 1,5 mEx bis 160 mEx. Die neue 60-V-Automobil-MOSFET-Familie mit OptiMOS5-Technologie bietet mehr Leistung und führende Leistung. OptiMOS 5 bietet reduzierte Leitungsverluste, die für Antriebe und Leistungswandlungsanwendungen optimiert sind. Die kleineren bleifreien Gehäuse SSO8 (5 x 6 mm2) und S3O8 (3 x 3 mm2) ermöglichen Platzersparnis um mehr als 50 % im Vergleich zur Fläche eines DPAK.

N-Kanal - Anreicherungstyp

AEC Q101-zertifiziert

MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung

175 °C Betriebstemperatur

Green Product (RoHS-konform)

100 % Lawinenprüfung

Weltweit niedrigster RDS bei 60 V (ein)

Höchste Strombelastbarkeit

Niedrigste Schalt- und Leitungsleistungsverluste für höchste Wärmeeffizienz

Robustes Gehäuse mit überragender Qualität und Zuverlässigkeit

Optimierte Gesamtladefunktion ermöglicht kleinere Treiberausgangsstufen

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