Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 60 V / 30 A 36 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 220-7404
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD30N06S4L23ATMA2
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 220-7404
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD30N06S4L23ATMA2
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET & Diode | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 30A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 23mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 16.1nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 36W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 6.73mm | |
| Höhe | 2.41mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET & Diode | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie OptiMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 23mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 16.1nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 36W | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 6.73mm | ||
Höhe 2.41mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Infineon bietet eine Vielzahl von N-Kanal-Kfz-qualifizierten Leistungs-MOSFETs mit 55 V bis 60 V und der neuen OptiMOS-Technologie in einer Vielzahl von Gehäusen und RDS(on) von 1,5 mEx bis 160 mEx. Die neue 60-V-Automobil-MOSFET-Familie mit OptiMOS5-Technologie bietet mehr Leistung und führende Leistung. OptiMOS 5 bietet reduzierte Leitungsverluste, die für Antriebe und Leistungswandlungsanwendungen optimiert sind. Die kleineren bleifreien Gehäuse SSO8 (5 x 6 mm2) und S3O8 (3 x 3 mm2) ermöglichen Platzersparnis um mehr als 50 % im Vergleich zur Fläche eines DPAK.
N-Kanal - Anreicherungstyp
AEC Q101-zertifiziert
MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung
175 °C Betriebstemperatur
Green Product (RoHS-konform)
100 % Lawinenprüfung
Weltweit niedrigster RDS bei 60 V (ein)
Höchste Strombelastbarkeit
Niedrigste Schalt- und Leitungsleistungsverluste für höchste Wärmeeffizienz
Robustes Gehäuse mit überragender Qualität und Zuverlässigkeit
Optimierte Gesamtladefunktion ermöglicht kleinere Treiberausgangsstufen
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