Infineon C7 GOLD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 650 V / 83 A 174 W, 10-Pin HDSOP

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RS Best.-Nr.:
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Herst. Teile-Nr.:
IPDD60R080G7XTMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET & Diode

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

83A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

C7 GOLD

Gehäusegröße

HDSOP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

10

Drain-Source-Widerstand Rds max.

80mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

0.8V

Maximale Verlustleistung Pd

174W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

42nC

Breite

2.35 mm

Höhe

21.11mm

Länge

6.6mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Infineon Technologien führen das Double DPAK (DDPAK) ein, das erste SMD-Gehäuse mit Kühlung auf der Oberseite, das sich für Hochleistungs-SMPS-Anwendungen wie PC-Stromversorgung, Solar, Server und Telekommunikation eignet. Die Vorteile der bereits vorhandenen 600-V-Cool-MOS-G7-Super Junction (SJ)-MOSFETs mit dem innovativen Konzept der Kühlung auf der Oberseite bieten eine Systemlösung für Starkstrom-Schalt-Topologien wie PFC und eine High-End-Effizienzlösung für LLC-Topologien.

Bietet erstklassige FOM RDS(on) x Eoss und RDS(on) x Qg

Innovatives Kühlkonzept auf der Oberseite

Integrierte 4. Stift Kelvin-Quellkonfiguration und niedrige parasitäre Quelle Induktivität

TCOB-Fähigkeit von >> 2.000 Zyklen, MSL1-konform und vollständig bleifrei

Ermöglicht höchste Energieeffizienz

Thermische Entkopplung von Platine und Halbleiter ermöglicht die Überwindung thermischer Leiterplatten-Grenzwerte

Die reduzierte parasitäre Quellinduktivität verbessert den E-Wirkungsgrad und die Benutzerfreundlichkeit

Ermöglicht Lösungen mit höherer Leistungsdichte

Übertrifft die höchsten Qualitätsstandards

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