Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET & Diode Erweiterung 650 V / 97 A 125 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 220-7453
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R090CFD7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*
CHF.120.96
Auf Lager
- 90 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | CHF.4.032 | CHF.121.06 |
| 60 - 120 | CHF.3.833 | CHF.115.01 |
| 150 + | CHF.3.675 | CHF.110.16 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 220-7453
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R090CFD7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET & Diode | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 97A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 90mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 51nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 5.21 mm | |
| Länge | 16.13mm | |
| Höhe | 21.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET & Diode | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 97A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie CoolMOS | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 90mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 51nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 5.21 mm | ||
Länge 16.13mm | ||
Höhe 21.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon 600 V Cool MOS CFD7 ist die neueste Hochspannungs-Super-Junction-MOSFET-Technologie von Infineon mit integrierter schneller Gehäusediode, die die Cool MOS 7-Serie kompletzt. Cool MOS CFD7 kommt mit reduzierter Gate-Ladung (Qg), verbessertem Abschaltverhalten und einer Rückgewinnungsladung (Qrr) von bis zu 69 % niedriger als die Konkurrenz sowie der niedrigsten Rückgewinnungszeit (trr) auf dem Markt.
Ultraschnelle Gehäusediode
Erstklassige Rückgewinnungsladung (Qrr)
Verbesserte Sperrdiode dv/dt und dif/dt-Robustheit
Niedrigster FOM RDS(on) x Qg und Eoss
Erstklassige RDS(on)/Gehäusekombinationen
Erstklassige Robustheit bei harter Kommutierung
Höchste Zuverlässigkeit für resonante Topologien
Höchste Effizienz mit herausragendem Bedienkomfort/Leistungs-Kompromiss
Ermöglicht Lösungen mit erhöhter Leistungsdichte
Verwandte Links
- Infineon CoolMOS™ N-Kanal Dual, THT MOSFET Transistor & Diode 650 V / 97 A, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS™ N-Kanal Dual, THT MOSFET Transistor & Diode 650 V / 99,6 A, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS™ P6 N-Kanal Dual, THT MOSFET Transistor & Diode 650 V / 109 A, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal Dual, THT MOSFET Transistor & Diode 650 V / 151 A, 4-Pin TO-247-4
- Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal Dual, THT MOSFET 650 V / 206 A, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS™ CFD7 N-Kanal Dual, THT MOSFET 650 V / 31 A, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal Dual, THT MOSFET 650 V / 386 A, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 650 V / 97 A, 5-Pin ThinkPAK 8 x 8