Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET & Diode Erweiterung 650 V / 97 A 125 W, 3-Pin TO-247

RS Best.-Nr.:: 220-7454
Herst. Teile-Nr.:: IPW60R090CFD7XKSA1
Marke:: Infineon

Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET & Diode Erweiterung 650 V / 97 A 125 W, 3-Pin TO-247

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 220-7454
Herst. Teile-Nr.:: IPW60R090CFD7XKSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET & Diode
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	97A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	650V
	Gehäusegröße	TO-247
	Serie	CoolMOS
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	90mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	1V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	51nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	125W
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	16.13mm
	Breite	5.21 mm
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	21.1mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET & Diode
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 97A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 650V
	Gehäusegröße TO-247
	Serie CoolMOS
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 90mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 1V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 51nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 125W
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 16.13mm
	Breite 5.21 mm
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 21.1mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPW60R090CFD7XKSA1

Der Infineon 600 V Cool MOS CFD7 ist die neueste Hochspannungs-Super-Junction-MOSFET-Technologie von Infineon mit integrierter schneller Gehäusediode, die die Cool MOS 7-Serie kompletzt. Cool MOS CFD7 kommt mit reduzierter Gate-Ladung (Qg), verbessertem Abschaltverhalten und einer Rückgewinnungsladung (Qrr) von bis zu 69 % niedriger als die Konkurrenz sowie der niedrigsten Rückgewinnungszeit (trr) auf dem Markt.

Ultraschnelle Gehäusediode

Erstklassige Rückgewinnungsladung (Qrr)

Verbesserte Sperrdiode dv/dt und dif/dt-Robustheit

Niedrigster FOM RDS(on) x Qg und Eoss

Erstklassige RDS(on)/Gehäusekombinationen

Erstklassige Robustheit bei harter Kommutierung

Höchste Zuverlässigkeit für resonante Topologien

Höchste Effizienz mit herausragendem Bedienkomfort/Leistungs-Kompromiss

Ermöglicht Lösungen mit erhöhter Leistungsdichte

Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET & Diode Erweiterung 650 V / 97 A 125 W, 3-Pin TO-247

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