onsemi NTBGS3D Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 127 A 115 W, 7-Pin NTBGS3D5N06C TO-263

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Herst. Teile-Nr.:
NTBGS3D5N06C
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

127A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

NTBGS3D

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

39nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

115W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

4.7 mm

Höhe

15.7mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

10.2mm

Automobilstandard

Nein

Der on Semiconductor 60 V Leistungs-MOSFET verwendete 127 A Abflussstrom mit einem N-Kanal. Es hat ein geringeres Schaltgeräusch/EMI und minimiert Leitungsverluste.

Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten

Niedrige Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten

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