onsemi NTBGS3D Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 127 A 115 W, 7-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 221-6704
- Herst. Teile-Nr.:
- NTBGS3D5N06C
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.23.155
Nur noch Restbestände
- Letzte 590 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.4.631 | CHF.23.17 |
| 50 - 95 | CHF.3.99 | CHF.19.97 |
| 100 + | CHF.3.465 | CHF.17.32 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 221-6704
- Herst. Teile-Nr.:
- NTBGS3D5N06C
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 127A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | NTBGS3D | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 39nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 115W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 10.2mm | |
| Höhe | 15.7mm | |
| Breite | 4.7 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 127A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie NTBGS3D | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 39nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 115W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 10.2mm | ||
Höhe 15.7mm | ||
Breite 4.7 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der on Semiconductor 60 V Leistungs-MOSFET verwendete 127 A Abflussstrom mit einem N-Kanal. Es hat ein geringeres Schaltgeräusch/EMI und minimiert Leitungsverluste.
Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten
Niedrige Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten
Verwandte Links
- onsemi NTBGS3D Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 127 A 115 W, 7-Pin TO-263
- onsemi NTB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 70 A 263 W, 7-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 127 A 250 W, 3-Pin TO-263
- onsemi NTBGS2D Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 169 A 136 W, 7-Pin TO-263-7
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 229 A 246 W, 7-Pin TO-263
- onsemi NTB Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 58 A 117 W, 7-Pin TO-263
- onsemi NTBGS1D Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 267 A 211 W, 7-Pin TO-263
- onsemi NTBGS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 342 A 245 W, 7-Pin TO-263