onsemi NTBGS3D Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 127 A 115 W, 7-Pin TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 800 Stück)*

CHF.2’344.00

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 04. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
800 +CHF.2.93CHF.2’346.12

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
221-6703
Herst. Teile-Nr.:
NTBGS3D5N06C
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

127A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

NTBGS3D

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

115W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

39nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

10.2mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

15.7mm

Breite

4.7 mm

Automobilstandard

Nein

Der on Semiconductor 60 V Leistungs-MOSFET verwendete 127 A Abflussstrom mit einem N-Kanal. Es hat ein geringeres Schaltgeräusch/EMI und minimiert Leitungsverluste.

Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten

Niedrige Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten

Verwandte Links