onsemi NTBL050N65S Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 49 A 305 W, 8-Pin H-PSOF
- RS Best.-Nr.:
- 221-6706
- Herst. Teile-Nr.:
- NTBL050N65S3H
- Marke:
- onsemi
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF.9.954 | CHF.19.91 |
| 20 - 198 | CHF.8.579 | CHF.17.16 |
| 200 + | CHF.7.434 | CHF.14.88 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 221-6706
- Herst. Teile-Nr.:
- NTBL050N65S3H
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 49A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | H-PSOF | |
| Serie | NTBL050N65S | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 50mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 98nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 305W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 11.47mm | |
| Länge | 10.8mm | |
| Breite | 2.4 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 49A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße H-PSOF | ||
Serie NTBL050N65S | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 50mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 98nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 305W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 11.47mm | ||
Länge 10.8mm | ||
Breite 2.4 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der on Semiconductor SuperFET III MOSFET verfügt über eine Hochspannungs-Super-Junction (SJ)-MOSFET-Familie, die Ladungsausgleichstechnologie für einen hervorragenden niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine geringere Gate-Ladungsleistung nutzt. Diese Advanced Technology ist auf die Minimierung von Leitungsverlusten ausgelegt, bietet eine überlegene Schaltleistung und hält extremen dv/dt-Rate stand.
Extrem niedrige Gate-Ladung
Niedrige effektive Ausgangskapazität 909 pF
100%ig auf Stoßentladung geprüft
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