onsemi NTH4LN095N Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 30 A 208 W, 4-Pin NTH4LN095N65S3H TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 221-6712
- Herst. Teile-Nr.:
- NTH4LN095N65S3H
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
CHF.18.774
Nur noch Restbestände
- Letzte 430 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF.9.387 | CHF.18.76 |
| 20 - 198 | CHF.8.085 | CHF.16.18 |
| 200 + | CHF.7.014 | CHF.14.03 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 221-6712
- Herst. Teile-Nr.:
- NTH4LN095N65S3H
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 30A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | NTH4LN095N | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 95mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 208W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 58nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 5.2 mm | |
| Normen/Zulassungen | Pb-Free, RoHS | |
| Höhe | 22.74mm | |
| Länge | 15.8mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie NTH4LN095N | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 95mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 208W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 58nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 5.2 mm | ||
Normen/Zulassungen Pb-Free, RoHS | ||
Höhe 22.74mm | ||
Länge 15.8mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der on Semiconductor SuperFET III MOSFET verfügt über eine Hochspannungs-Super-Junction (SJ)-MOSFET-Familie, die Ladungsausgleichstechnologie für einen hervorragenden niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine geringere Gate-Ladungsleistung nutzt. Diese Advanced Technology ist auf die Minimierung von Leitungsverlusten ausgelegt, bietet eine überlegene Schaltleistung und hält extremen dv/dt-Rate stand.
Extrem niedrige Gate-Ladung
Niedrige effektive Ausgangskapazität: 522 pF
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Verwandte Links
- onsemi NTH4LN095N Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 30 A 208 W, 4-Pin TO-247
- onsemi NTHL095N Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 30 A 208 W, 3-Pin TO-247
- onsemi NTHL095N Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 30 A 208 W, 3-Pin NTHL095N65S3H TO-247
- Infineon CoolMOS C3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 20.7 A 208 W, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS CP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 25 A 208 W, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS CP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 25 A 208 W, 3-Pin IPW60R125CPFKSA1 TO-247
- Infineon CoolMOS C3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 20.7 A 208 W, 3-Pin SPW20N60C3FKSA1 TO-247
- onsemi NTP095N Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 30 A 208 W, 3-Pin TO-220