onsemi NTMFS005N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 105 A 125 W, 5-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 221-6719
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS005N10MCLT1G
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Lieferengpass
Aufgrund eines weltweiten Versorgungsengpasses können wir keine Angaben machen, wann dieser Artikel wieder vorrätig sein wird.
- RS Best.-Nr.:
- 221-6719
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS005N10MCLT1G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 105A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | NTMFS005N | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5.1mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 55nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 6.3mm | |
| Normen/Zulassungen | Beryllium Free, Pb-Free, RoHS | |
| Länge | 5.3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 105A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie NTMFS005N | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5.1mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 55nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 6.3mm | ||
Normen/Zulassungen Beryllium Free, Pb-Free, RoHS | ||
Länge 5.3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der on Semiconductor-MOSFET für industrielle Anwendungen in einem 5 x 6 mm-Gehäuse mit flacher Leitung für kompakte und effiziente Designs und einschließlich hoher Wärmeleistung.
Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten
Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten
Verwandte Links
- onsemi NTMFS005N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 105 A 125 W, 5-Pin DFN
- onsemi Doppelt NVMFD5C446NL Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 145 A 125 W, 8-Pin DFN
- onsemi Doppelt NVMFD5C650NL Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 111 A 125 W, 8-Pin DFN
- onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 200 A 110 W, 5-Pin DFN
- onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 71 A 61 W, 5-Pin DFN
- onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 477 A 294.6 W, 8-Pin DFN
- onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 337 A 300 W, 8-Pin DFN
- onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 316 A 166 W, 8-Pin DFN