onsemi NTMFS0D5N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 464 A 200 W, 5-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 221-6724
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS0D5N03CT1G
- Marke:
- onsemi
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.2.037 | CHF.10.20 |
| 50 - 95 | CHF.1.754 | CHF.8.78 |
| 100 + | CHF.1.523 | CHF.7.62 |
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- RS Best.-Nr.:
- 221-6724
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS0D5N03CT1G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 464A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | NTMFS0D5N | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.52mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 200W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 178nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 6.3mm | |
| Länge | 5.3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 1.1 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 464A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie NTMFS0D5N | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.52mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 200W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 178nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 6.3mm | ||
Länge 5.3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 1.1 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der on Semiconductor 30 V Leistungs-MOSFET verwendete 464 A Ableitstrom mit einem N-Kanal. Er verfügt über eine ausgezeichnete Wärmeleitung und verbessert die Systemeffizienz.
Advanced Gehäuse (5 x 6 mm)
Extrem niedriger RDS(on) zur Verbesserung der Systemeffizienz
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