onsemi NTMFS0D6N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 433 A 200 W, 5-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 221-6726
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS0D6N03CT1G
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.11.31
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.2.262 | CHF.11.29 |
| 50 - 95 | CHF.1.949 | CHF.9.74 |
| 100 + | CHF.1.687 | CHF.8.44 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 221-6726
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS0D6N03CT1G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 433A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Serie | NTMFS0D6N | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.62mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 145nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 200W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 6.3mm | |
| Länge | 5.3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 433A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Serie NTMFS0D6N | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.62mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 145nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 200W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 6.3mm | ||
Länge 5.3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der on Semiconductor 30 V Leistungs-MOSFET verwendete 433 A Abflussstrom mit einem N-Kanal. Es verbessert das Einschaltstrommanagement und verbessert auch die Systemeffizienz.
Advanced Gehäuse (5 x 6 mm)
Extrem niedriger RDS(on) zur Verbesserung der Systemeffizienz
Verwandte Links
- onsemi NTMFS0D6N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 433 A 200 W, 5-Pin DFN
- onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 433 A 205 W, 8-Pin DFN
- onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 200 A 110 W, 5-Pin DFN
- onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 71 A 61 W, 5-Pin DFN
- onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 337 A 300 W, 8-Pin DFN
- onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 316 A 166 W, 8-Pin DFN
- onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 313 A 166 W, 8-Pin DFN
- onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 477 A 294.6 W, 8-Pin DFN