DiodesZetex DMT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 75 A 96 W, 3-Pin TO-251
- RS Best.-Nr.:
- 222-2882
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT69M5LH3
- Marke:
- DiodesZetex
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Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 75 - 75 | CHF 0.404 | CHF 30.08 |
| 150 - 450 | CHF 0.343 | CHF 25.91 |
| 525 - 975 | CHF 0.333 | CHF 25.23 |
| 1050 + | CHF 0.323 | CHF 24.62 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 222-2882
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT69M5LH3
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 75A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-251 | |
| Serie | DMT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 10mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 28.4nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 10V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 96W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 2.3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 6.1mm | |
| Länge | 6.6mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 75A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-251 | ||
Serie DMT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 10mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 28.4nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 10V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 96W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 2.3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 6.1mm | ||
Länge 6.6mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der DiodesZetex N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung beizubehalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Niedrige Eingangskapazität
Thermisch effizientes Gehäuse mit kleinem Formfaktor ermöglicht Endprodukte mit höherer Dichte
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