DiodesZetex DMT N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 75 A 96 W, 3-Pin TO-251
- RS Best.-Nr.:
- 222-2882
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT69M5LH3
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Rolle mit 75 Stück)*
CHF.30.30
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 29. März 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 75 - 75 | CHF 0.404 | CHF 30.08 |
| 150 - 450 | CHF 0.343 | CHF 25.91 |
| 525 - 975 | CHF 0.333 | CHF 25.23 |
| 1050 + | CHF 0.323 | CHF 24.62 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 222-2882
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT69M5LH3
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 75A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | DMT | |
| Gehäusegröße | TO-251 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 10mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 28.4nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 10V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 96W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.6mm | |
| Höhe | 6.1mm | |
| Breite | 2.3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 75A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie DMT | ||
Gehäusegröße TO-251 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 10mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 28.4nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 10V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 96W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.6mm | ||
Höhe 6.1mm | ||
Breite 2.3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der DiodesZetex N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung beizubehalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Niedrige Eingangskapazität
Thermisch effizientes Gehäuse mit kleinem Formfaktor ermöglicht Endprodukte mit höherer Dichte
Verwandte Links
- DiodesZetex DMT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 75 A 96 W, 3-Pin TO-251
- DiodesZetex DMT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 82 A 83 W, 8-Pin PowerDI5060
- DiodesZetex DMT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 50 V / 11.5 A 1.97 W, 6-Pin UDFN
- DiodesZetex DMT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 60 A 41 W, 8-Pin PowerDI3333
- DiodesZetex DMT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 80 A 62.5 W, 8-Pin PowerDI3333
- DiodesZetex DMT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 6.5 A 1.58 W, 6-Pin UDFN
- DiodesZetex DMT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 31.8 A 28.4 W, 8-Pin PowerDI3333
- DiodesZetex DMT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 16.1 A 2.16 W, 8-Pin VDFN