DiodesZetex DMT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 75 A 96 W, 3-Pin DMT69M5LH3 TO-251

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222-2883
Herst. Teile-Nr.:
DMT69M5LH3
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

75A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TO-251

Serie

DMT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

10mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

96W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

28.4nC

Gate-Source-spannung max Vgs

10 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

6.1mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.6mm

Breite

2.3 mm

Automobilstandard

Nein

Der DiodesZetex N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung beizubehalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Niedrige Eingangskapazität

Thermisch effizientes Gehäuse mit kleinem Formfaktor ermöglicht Endprodukte mit höherer Dichte

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