Infineon CoolMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 19 A 92 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 222-4702
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP60R120C7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
CHF.9.716
Auf Lager
- Zusätzlich 966 Einheit(en) mit Versand ab 14. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | CHF 4.858 | CHF 9.72 |
| 10 - 18 | CHF 4.383 | CHF 8.77 |
| 20 - 48 | CHF 4.08 | CHF 8.17 |
| 50 - 98 | CHF 3.798 | CHF 7.59 |
| 100 + | CHF 3.545 | CHF 7.09 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 222-4702
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP60R120C7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 19A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 120mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 92W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 34nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 15.95mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 4.57mm | |
| Länge | 10.36mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 19A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie CoolMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 120mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 92W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 34nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 15.95mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 4.57mm | ||
Länge 10.36mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, stehen für "Feldeffekttransistoren von Metalloxid-Halbleiter-Transistoren". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.
Bleifreie Leitungsbeschichtung; RoHS-konform
Überlegene Wärmebeständigkeit, 100 % auf Lawinengefahr geprüft
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-23
Verwandte Links
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 19 A 92 W, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 9 A, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 37.9 A, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 8 A, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 7 A, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 16 A, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 22 A 110 W, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 16 A 83 W, 3-Pin TO-220