Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 1.5 A 13 W, 3-Pin TO-251

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)*

CHF.5.46

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 60 Einheit(en) mit Versand ab 26. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
20 - 80CHF.0.273CHF.5.50
100 - 180CHF.0.231CHF.4.54
200 - 480CHF.0.221CHF.4.43
500 - 980CHF.0.21CHF.4.31
1000 +CHF.0.21CHF.4.20

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
222-4717
Herst. Teile-Nr.:
IPU80R4K5P7AKMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Gehäusegröße

TO-251

Serie

CoolMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.5Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

13W

Durchlassspannung Vf

0.9V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

4nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.73mm

Höhe

2.41mm

Breite

6.22 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Das Infineon Design der Cool MOS TM P7-Serie setzt neue Maßstäbe in 800-V-Super-Abzweigtechnologien und kombiniert erstklassige Leistung mit der neuesten Art der Benutzerfreundlichkeit, die sich aus der über 18 Jahre lang bahnbrechenden Super Junction Technologie-Innovation von Infineon ergibt.

Bleifreie Leitungsbeschichtung; RoHS-konform

Überlegene Wärmebeständigkeit, 100 % auf Lawinengefahr geprüft

Halogenfrei gemäß IEC61249-2-23

Verwandte Links