Teile-Nr.

Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 14 A 75 W, 3-Pin IPW60R170CFD7XKSA1 TO-247

RS Best.-Nr.:: 222-4723
Herst. Teile-Nr.:: IPW60R170CFD7XKSA1
Marke:: Infineon

Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 14 A 75 W, 3-Pin IPW60R170CFD7XKSA1 TO-247

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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10 - 20	CHF.3.801	CHF.18.98
25 - 45	CHF.3.539	CHF.17.71
50 - 120	CHF.3.287	CHF.16.45
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RS Best.-Nr.:: 222-4723
Herst. Teile-Nr.:: IPW60R170CFD7XKSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	14A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	650V
	Gehäusegröße	TO-247
	Serie	CoolMOS
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	170mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	28nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1V
	Maximale Verlustleistung Pd	75W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	16.13mm
	Breite	21.1 mm
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	5.21mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 14A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 650V
	Gehäusegröße TO-247
	Serie CoolMOS
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 170mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 28nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1V
	Maximale Verlustleistung Pd 75W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 16.13mm
	Breite 21.1 mm
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 5.21mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPW60R170CFD7XKSA1

Das Infineon Design von Cool MOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die Serie 600 V Cool MOS TM C7 kombiniert die Erfahrung des führenden SJ MOSFET-Lieferanten mit erstklassiger Innovation. Der 600 V C7 ist die erste Technologie, die jemals mit RDS(on) * A unter 1 Ohm * mmmmmmmmmmmmmm² verwendet wurde.

Bleifreie Leitungsbeschichtung; RoHS-konform

Überlegene Wärmebeständigkeit, 100 % auf Lawinengefahr geprüft

Halogenfrei gemäß IEC61249-2-23

Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 14 A 75 W, 3-Pin IPW60R170CFD7XKSA1 TO-247

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