Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 14 A 75 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 222-4723
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R170CFD7XKSA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | CHF.3.833 | CHF.19.15 |
| 10 - 20 | CHF.3.444 | CHF.17.24 |
| 25 - 45 | CHF.3.213 | CHF.16.09 |
| 50 - 120 | CHF.2.993 | CHF.14.94 |
| 125 + | CHF.2.793 | CHF.13.99 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 222-4723
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R170CFD7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 14A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 170mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 28nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 75W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 16.13mm | |
| Höhe | 5.21mm | |
| Breite | 21.1 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 14A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie CoolMOS | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 170mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 28nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 75W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 16.13mm | ||
Höhe 5.21mm | ||
Breite 21.1 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das Infineon Design von Cool MOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die Serie 600 V Cool MOS TM C7 kombiniert die Erfahrung des führenden SJ MOSFET-Lieferanten mit erstklassiger Innovation. Der 600 V C7 ist die erste Technologie, die jemals mit RDS(on) * A unter 1 Ohm * mmmmmmmmmmmmmm² verwendet wurde.
Bleifreie Leitungsbeschichtung; RoHS-konform
Überlegene Wärmebeständigkeit, 100 % auf Lawinengefahr geprüft
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-23
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