Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 76 A 255 W, 4-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
222-4730
Herst. Teile-Nr.:
IPZA60R037P7XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

76A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

CoolMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

37mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

121nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Verlustleistung Pd

255W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

15.9mm

Breite

5.1 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

21.1mm

Automobilstandard

Nein

Das Infineon Design der Cool MOS/7-Plattform ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde.

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