Infineon IPP60R N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 26 A 95 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 222-4929
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP60R120P7XKSA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF 3.929 | CHF 19.62 |
| 25 - 45 | CHF 3.333 | CHF 16.69 |
| 50 - 120 | CHF 3.101 | CHF 15.49 |
| 125 - 245 | CHF 2.909 | CHF 14.52 |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 222-4929
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP60R120P7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 26A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | IPP60R | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 120mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 95W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 36nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.36mm | |
| Breite | 4.57mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 9.45mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 26A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie IPP60R | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 120mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 95W | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 36nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.36mm | ||
Breite 4.57mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 9.45mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon IPP60R Serie MOSFET, 600 V maximale Drain-Source-Spannung, 26 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPP60R120P7XKSA1
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungsschalttransistor, der für Leistungssteuerungsanwendungen entwickelt wurde, bei denen eine hohe Spannungstoleranz und ein hoher Temperaturbereich erforderlich sind. Er arbeitet als N-Kanal-Verbesserungsgerät in einem TO-220-Gehäuse mit Durchgangsbohrung und eignet sich für Schaltungsentwürfe, die einen robusten Gate-Antrieb und eine hohe Dauerstrombelastbarkeit in anspruchsvollen Temperaturumgebungen erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• Die Drain-Source-Spannung von 600 V ermöglicht Hochspannungsschaltfunktionen
• 120 mΩ RDS(on) reduziert Leitungsverluste für verbesserte Effizienz
• 26 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme
• 36 nC typische Gate-Ladung erleichtert die Gate-Drive-Dimensionierung für schnelleres Schalten
• Maximale Verlustleistung von 95 W ermöglicht einen Betrieb mit hoher Leistung
• Der Betriebsbereich von -55 °C bis 150 °C unterstützt breite thermische Umgebungen
• 120 mΩ RDS(on) reduziert Leitungsverluste für verbesserte Effizienz
• 26 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme
• 36 nC typische Gate-Ladung erleichtert die Gate-Drive-Dimensionierung für schnelleres Schalten
• Maximale Verlustleistung von 95 W ermöglicht einen Betrieb mit hoher Leistung
• Der Betriebsbereich von -55 °C bis 150 °C unterstützt breite thermische Umgebungen
Anwendungsbereich
• Geeignet für Hochspannungs-SMPS-Primärschaltstufen
• Ideal für Motorantriebs-Halbbrückenschaltungen, die eine Durchsteckmontage erfordern
• Wird mit industriellen Wechselrichtern verwendet, die mit erhöhten Spannungen umgehen
• Kann für die Schaltnetzteil-Umwandlung in Tischgeräten verwendet werden
• Geeignet für Stromversorgungen, bei denen eine robuste thermische Toleranz erforderlich ist
• Ideal für Motorantriebs-Halbbrückenschaltungen, die eine Durchsteckmontage erfordern
• Wird mit industriellen Wechselrichtern verwendet, die mit erhöhten Spannungen umgehen
• Kann für die Schaltnetzteil-Umwandlung in Tischgeräten verwendet werden
• Geeignet für Stromversorgungen, bei denen eine robuste thermische Toleranz erforderlich ist
Wie hoch ist die empfohlene maximale Gate-Spannung für Antriebsschaltkreise?
Das Gerät nimmt Gate-Source-Spannungen bis zu 20 V auf, daher sollten Gate-Treiber so ausgewählt werden, dass sie innerhalb dieser Grenze bleiben.
Wie wirkt sich die Wahl des Gehäuses auf die Montage und das Wärmemanagement aus?
Das TO-220-Gehäuse mit Durchgangsbohrung erleichtert den Kühlkörper und die einfache Leiterplattenmontage für eine verbesserte Wärmeableitung.
Welche Leitfähigkeit kann bei schweren Lasten erwartet werden?
Mit einem RDS(on) von bis zu 120 mΩ und einem kontinuierlichen Ablassstrom von 26 A sind die Leitungsverluste für thermische Designberechnungen quantifizierbar.
Wie sollten Schaltverluste in der Konstruktion berücksichtigt werden?
Verwenden Sie die typische Gate-Ladung von 36 nC, um die Treiberenergie pro Schaltvorgang zu schätzen, und berücksichtigen Sie bei der Berechnung der spannungsbedingten Schaltverluste die Nennleistung von 600 V.
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