Vishay N-Channel 150 V Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 150 V / 59.7 A 92.5 W, 8-Pin SIR572DP-T1-RE3 SO-8

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Herst. Teile-Nr.:
SIR572DP-T1-RE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

59.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

N-Channel 150 V

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

11.5mΩ

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

92.5W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

54nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

5.26mm

Länge

6.25mm

Breite

1.12 mm

Automobilstandard

Nein

Die Vishay Siliconix verwaltet Zuverlässigkeitsdaten für Halbleitertechnologie und die Gehäuse-Zuverlässigkeit stellen einen Verbund aller qualifizierten Standorte dar.

Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV

Sehr niedriger RDS x Qg Leistungsfaktor (FOM)

Abgestimmt auf den niedrigsten RDS x Foss FOM

100 % Rg- und UIS-geprüft

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