Vishay N-Channel 150 V Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 150 V / 59.7 A 92.5 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 225-9928
- Herst. Teile-Nr.:
- SIR572DP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.2.576 | CHF.12.86 |
| 50 - 120 | CHF.2.444 | CHF.12.23 |
| 125 - 245 | CHF.2.06 | CHF.10.29 |
| 250 - 495 | CHF.1.929 | CHF.9.66 |
| 500 + | CHF.1.798 | CHF.9.01 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 225-9928
- Herst. Teile-Nr.:
- SIR572DP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 59.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Serie | N-Channel 150 V | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 11.5mΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 92.5W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 54nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 1.12 mm | |
| Höhe | 5.26mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.25mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 59.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Serie N-Channel 150 V | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 11.5mΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 92.5W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 54nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 1.12 mm | ||
Höhe 5.26mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.25mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Vishay Siliconix verwaltet Zuverlässigkeitsdaten für Halbleitertechnologie und die Gehäuse-Zuverlässigkeit stellen einen Verbund aller qualifizierten Standorte dar.
Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV
Sehr niedriger RDS x Qg Leistungsfaktor (FOM)
Abgestimmt auf den niedrigsten RDS x Foss FOM
100 % Rg- und UIS-geprüft
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