Vishay N-Channel 30 V Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 2.25 A 13.6 W, 7-Pin SC-70
- RS Best.-Nr.:
- 225-9938
- Herst. Teile-Nr.:
- SQA470CEJW-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 50 Stück)*
CHF.19.20
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 19. August 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | CHF.0.384 | CHF.19.09 |
| 500 - 1200 | CHF.0.283 | CHF.14.14 |
| 1250 - 2450 | CHF.0.263 | CHF.13.38 |
| 2500 - 4950 | CHF.0.192 | CHF.9.55 |
| 5000 + | CHF.0.172 | CHF.8.59 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 225-9938
- Herst. Teile-Nr.:
- SQA470CEJW-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.25A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SC-70 | |
| Serie | N-Channel 30 V | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 95mΩ | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 4.6nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 13.6W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12 V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.75V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 | |
| Breite | 2.05 mm | |
| Länge | 2.05mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.25A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SC-70 | ||
Serie N-Channel 30 V | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 95mΩ | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.6nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 13.6W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12 V | ||
Durchlassspannung Vf 0.75V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 | ||
Breite 2.05 mm | ||
Länge 2.05mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Die Vishay Siliconix verwaltet Zuverlässigkeitsdaten für Halbleitertechnologie und die Gehäuse-Zuverlässigkeit stellen einen Verbund aller qualifizierten Standorte dar.
TrenchFET Leistungs-MOSFET
AEC-Q101-qualifiziert
Benetzbare Flankenklemmen
100 % Rg- und UIS-geprüft
Verwandte Links
- Vishay N-Channel 30 V Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 2.25 A 13.6 W, 7-Pin SC-70
- Vishay N-Channel 100 V Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 9 A 13.6 W, 7-Pin SC-70
- Vishay P-Channel 20 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 3.75 A 13.6 W, 7-Pin SC-70
- Vishay SQA Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 5.63 A 13.6 W, 7-Pin SC-70W-6L
- Vishay SQA Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 9 A 13.6 W, 7-Pin SC-70W-6L
- Vishay Siliconix TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 10 A 13.6 W, 6-Pin SC-70
- Vishay N-Channel 30 V Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 437 A 500 W, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay SQA444CEJW Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 9 A 13.6 W, 7-Pin PowerPAK SC-70W-6L