Vishay N-Channel 100 V Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 9 A 13.6 W, 7-Pin SC-70

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:
225-9940
Herst. Teile-Nr.:
SQA700CEJW-T1_GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

N-Channel 100 V

Gehäusegröße

SC-70

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

990mΩ

Channel-Modus

N

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6.2nC

Durchlassspannung Vf

0.86V

Maximale Verlustleistung Pd

13.6W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

2.05 mm

Länge

2.05mm

Normen/Zulassungen

AEC-Q101

Automobilstandard

AEC-Q101

Die Vishay Siliconix verwaltet Zuverlässigkeitsdaten für Halbleitertechnologie und die Gehäuse-Zuverlässigkeit stellen einen Verbund aller qualifizierten Standorte dar.

TrenchFET Leistungs-MOSFET

AEC-Q101-qualifiziert

Benetzbare Flankenklemmen

100 % Rg- und UIS-geprüft

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