Vishay N-Channel 100 V Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 9 A 13.6 W, 7-Pin SC-70
- RS Best.-Nr.:
- 225-9941
- Herst. Teile-Nr.:
- SQA700CEJW-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 50 Stück)*
CHF.24.70
Auf Lager
- Zusätzlich 1’900 Einheit(en) mit Versand ab 19. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | CHF.0.494 | CHF.24.68 |
| 250 - 450 | CHF.0.368 | CHF.18.48 |
| 500 - 1200 | CHF.0.315 | CHF.16.01 |
| 1250 - 2450 | CHF.0.294 | CHF.14.81 |
| 2500 + | CHF.0.231 | CHF.11.60 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 225-9941
- Herst. Teile-Nr.:
- SQA700CEJW-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | N-Channel 100 V | |
| Gehäusegröße | SC-70 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 990mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6.2nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.86V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 13.6W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 2.05mm | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 | |
| Breite | 2.05 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie N-Channel 100 V | ||
Gehäusegröße SC-70 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 990mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.2nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.86V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 13.6W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 2.05mm | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 | ||
Breite 2.05 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Die Vishay Siliconix verwaltet Zuverlässigkeitsdaten für Halbleitertechnologie und die Gehäuse-Zuverlässigkeit stellen einen Verbund aller qualifizierten Standorte dar.
TrenchFET Leistungs-MOSFET
AEC-Q101-qualifiziert
Benetzbare Flankenklemmen
100 % Rg- und UIS-geprüft
Verwandte Links
- Vishay N-Channel 100 V Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 9 A 13.6 W, 7-Pin SC-70
- Vishay N-Channel 30 V Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 2.25 A 13.6 W, 7-Pin SQA470CEJW-T1_GE3 SC-70
- Vishay N-Channel 30 V Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 2.25 A 13.6 W, 7-Pin SC-70
- Vishay P-Channel 20 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 3.75 A 13.6 W, 7-Pin SQA401CEJW-T1_GE3 SC-70
- Vishay P-Channel 20 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 3.75 A 13.6 W, 7-Pin SC-70
- Vishay Siliconix TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 2.68 A 13.6 W, 6-Pin SQA401EEJ-T1_GE3 SC-70
- Vishay Siliconix TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 10 A 13.6 W, 6-Pin SQA403EJ-T1_GE3 SC-70
- Vishay Siliconix TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 10 A 13.6 W, 6-Pin SQA405EJ-T1_GE3 SC-70-6L