Vishay N-Channel 40 V Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 372 A 394 W, 8-Pin PowerPAK (8x8LR)
- RS Best.-Nr.:
- 225-9965
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJQ148ER-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.3.014 | CHF.15.06 |
| 50 - 120 | CHF.2.835 | CHF.14.15 |
| 125 - 245 | CHF.2.709 | CHF.13.57 |
| 250 - 495 | CHF.2.405 | CHF.12.03 |
| 500 + | CHF.2.258 | CHF.11.29 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 225-9965
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJQ148ER-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 372A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK (8x8LR) | |
| Serie | N-Channel 40 V | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.1mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 68nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 394W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 | |
| Länge | 8.3mm | |
| Breite | 8 mm | |
| Höhe | 1.6mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 372A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße PowerPAK (8x8LR) | ||
Serie N-Channel 40 V | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.1mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 68nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 394W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 | ||
Länge 8.3mm | ||
Breite 8 mm | ||
Höhe 1.6mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Die Vishay Siliconix verwaltet Zuverlässigkeitsdaten für Halbleitertechnologie und die Gehäuse-Zuverlässigkeit stellen einen Verbund aller qualifizierten Standorte dar.
AEC-Q101-qualifiziert
100 % Rg- und UIS-geprüft
Dünnes 1,6-mm-Gehäuse
Sehr niedriger Wärmewiderstand
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