Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 850 V / 9 A 35 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 228-2837
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHA24N80AE-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
CHF.5.13
Auf Lager
- 668 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF.2.565 | CHF.5.14 |
| 20 - 48 | CHF.2.303 | CHF.4.62 |
| 50 - 98 | CHF.2.182 | CHF.4.36 |
| 100 - 198 | CHF.2.06 | CHF.4.12 |
| 200 + | CHF.1.899 | CHF.3.81 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 228-2837
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHA24N80AE-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 850V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | E | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 184mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 59nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 35W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 850V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie E | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 184mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 59nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 35W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, maximale Drain-Source-Spannung von 850 V, maximaler kontinuierlicher Drain-Strom von 9 A – SIHA24N80AE-GE3
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Typ-Verbesserungsgerät, das für Schalt- und Leistungsumwandlungsfunktionen in industriellen elektronischen Systemen entwickelt wurde. Es wird in einem TO-220-Gehäuse mit Durchgangsbohrung für eine einfache Montage und thermische Schnittstelle geliefert und eignet sich für Geräte, bei denen eine robuste Handhabung der Drain-Source-Spannung und eine moderate Strombelastbarkeit erforderlich sind.
Merkmale und Vorteile:
• Maximale Drain-Source-Spannung von 850 V für Hochspannungs-Schaltanwendungen
• 9 A kontinuierlicher Ablassstrom für mäßige Lasthandhabung
• 184 mΩ Rds(on) für vorhersehbare Leitungsverluste
• 59 nC typische Gate-Ladung ermöglicht kontrollierte Schaltenergie
• 35 W Verlustleistung für erhebliche thermische Reichweite
• Maximale Betriebstemperatur von 150 °C für Umgebungen mit erhöhten Temperaturen
• 9 A kontinuierlicher Ablassstrom für mäßige Lasthandhabung
• 184 mΩ Rds(on) für vorhersehbare Leitungsverluste
• 59 nC typische Gate-Ladung ermöglicht kontrollierte Schaltenergie
• 35 W Verlustleistung für erhebliche thermische Reichweite
• Maximale Betriebstemperatur von 150 °C für Umgebungen mit erhöhten Temperaturen
Anwendungen
• Geeignet für Stromversorgungen, die Hochspannungsschaltkomponenten erfordern
• Ideal für industrielle Motorantriebs-Gate-Stufen-Schaltkreise
• Verwendet für Hochspannungs-Snubber- und Klemmschaltungen in Automatisierungssystemen
• Kann für die Schaltung auf der Netzseite in Beleuchtungs- und Steuergeräten verwendet werden
• Geeignet für Prototypen und Produktionsplatinen, die eine Durchsteckmontage erfordern
• Ideal für industrielle Motorantriebs-Gate-Stufen-Schaltkreise
• Verwendet für Hochspannungs-Snubber- und Klemmschaltungen in Automatisierungssystemen
• Kann für die Schaltung auf der Netzseite in Beleuchtungs- und Steuergeräten verwendet werden
• Geeignet für Prototypen und Produktionsplatinen, die eine Durchsteckmontage erfordern
Welche Gate-Spannungsgrenzen sollten von Konstrukteuren für einen sicheren Betrieb eingehalten werden?
Die Gate-Source-Spannung darf 30 V nicht überschreiten, um eine Überbelastung des Gate-Dielektrikums zu vermeiden.
Wie wirkt sich das Wärmemanagement auf die Dauerstromfähigkeit aus?
Die Verlustleistung von 35 W setzt eine effektive Wärmeableitung voraus
ohne ausreichende thermische Wege steigt die Sperrschichttemperatur und die Dauerstromfähigkeit wird reduziert.
Ist dieses Gerät für Automobilanwendungen geeignet, die spezifische Automobilstandards erfordern?
Es ist nicht für Kfz-spezifische Normen ausgelegt und sollte vor dem Einsatz anhand der Qualifikationsanforderungen auf Fahrzeugebene bewertet werden.
Welche Schaltkompromisse werden angesichts der Gate-Ladung und Rds(on) erwartet?
Die moderate Gate-Ladung in Kombination mit einem Einschaltwiderstand von 184 mΩ zeigt ein Gleichgewicht zwischen Schaltverlusten und Leitungsverlusten
die Gate-Drive-Festigkeit und die Schaltfrequenz bestimmen die Gesamteffizienz.
Verwandte Links
- Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 850 V / 9 A 35 W, 3-Pin TO-220
- Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 850 V / 3 A 29 W, 3-Pin TO-220
- Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 850 V / 5 A 62.5 W, 3-Pin TO-220
- Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 850 V / 15 A 179 W, 3-Pin TO-220
- Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 850 V / 165.3 A 179 W, 3-Pin TO-220
- Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 14 A 35 W, 3-Pin TO-220
- Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 35 A 227 W, 3-Pin TO-220
- Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 600 V / 30 A 35 W, 3-Pin TO-220