Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 77.4 A 104 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 228-2906
- Herst. Teile-Nr.:
- SiR570DP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
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- SiR570DP-T1-RE3
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- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 77.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7.9mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 104W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 46.9nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 77.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7.9mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 104W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 46.9nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Vishay TrenchFET N-Kanal ist ein 150-V-MOSFET.
100 % Rg- und UIS-geprüft
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