Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 51.4 A 71.4 W, 8-Pin SiR876BDP-T1-RE3 SO-8

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Herst. Teile-Nr.:
SiR876BDP-T1-RE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

51.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

10.8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

42.7nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

71.4W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Vishay TrenchFET N-Kanal ist ein 100-V-MOSFET.

100 % Rg- und UIS-geprüft

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