Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 70 V / 45.3 A 39 W, 8-Pin SiS178LDN-T1-GE3 PowerPAK 1212

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RS Best.-Nr.:
228-2923
Herst. Teile-Nr.:
SiS178LDN-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

45.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

70V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

PowerPAK 1212

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

9.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

39W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

18.7nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Vishay TrenchFET N-Kanal ist ein 70-V-MOSFET.

100 % Rg- und UIS-geprüft

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