Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 700 V / 62 A 625 W, 3-Pin SQW61N65EF-GE3 TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 228-2979
- Herst. Teile-Nr.:
- SQW61N65EF-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Zwischensumme (1 Stück)*
CHF.13.377
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF.13.38 |
| 10 - 24 | CHF.12.97 |
| 25 - 49 | CHF.12.31 |
| 50 - 99 | CHF.11.77 |
| 100 + | CHF.11.10 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 228-2979
- Herst. Teile-Nr.:
- SQW61N65EF-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 62A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 700V | |
| Serie | E | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 52mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 229nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 625W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 62A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 700V | ||
Serie E | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 52mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 229nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 625W | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Leistungs-MOSFET der Vishay-E-Serie für die Automobilindustrie reduziert Schalt- und Leitungsverluste.
Schneller Gehäusediode-MOSFET mit Automobiltechnik
Technologie der Serie E
Reduzierte trr, Qrr und IRRM
Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg
Niedrige Eingangskapazität (Ciss)
Geringe Schaltverluste durch reduzierte Qrr
175 °C Betriebstemperatur
AEC-Q101-qualifiziert
Extrem niedrig
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