Infineon IAUS300N08S5N011T N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 400 A 375 W, 16-Pin HDSOP

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Herst. Teile-Nr.:
IAUS300N08S5N011TATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

400A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

HDSOP

Serie

IAUS300N08S5N011T

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

16

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.1mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Maximale Betriebstemperatur

+175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Infineon IAUS300N08S5N011T Serie MOSFET, 80 V maximale Drain-Source-Spannung, 400 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IAUS300N08S5N011TATMA1


Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-Schaltgerät, das für anspruchsvolle Automobil- und Industrieumgebungen entwickelt wurde und einen N-Kanal-Enhancement-Modus-Betrieb in einem kompakten SMD-Gehäuse bietet. Er ist für die Steuerung großer Ablassströme ausgelegt und hält hohen Temperaturen stand, während er gleichzeitig geringe Leitungsverluste für Leistungsumwandlungs- und Schaltanwendungen bietet.

Merkmale und Vorteile:


• 400 A kontinuierlicher Ablassstrom bieten eine hohe Schaltleistung
• 1,1 mΩ Rds(on) minimiert Leitungsverluste während der Lastzyklen
• Die Nennleistung von 80 V Drain-Source ermöglicht die Kompatibilität mit Systemen mit höherer Spannung
• Maximale Verlustleistung von 375 W unterstützt schwere thermische Belastungen
• Die Gate-Toleranz von ±20 V ermöglicht robuste Gate-Drive-Spannungen
• Betriebsbereich von -55 °C bis 175 °C ermöglicht eine hohe Temperaturzuverlässigkeit

Anwendungsbereich


• Geeignet für Wechselrichterstufen in Kraftfahrzeugen
• Ideal für Hochstrom-DC/DC-Wandler in Fahrzeugen
• Einsatz mit Traktionsmotor-Steuerungen in Elektrofahrzeugen
• Kann zum Schalten von industriellen Motorantrieben verwendet werden
• Wird für die Verwaltung und Verteilung von Hochleistungsbatterien verwendet

Welche Gehäusetyp und Montageart wird verwendet?


Er wird in einem HDSOP-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage vorgesehen ist und kompakte Leiterplatten-Layouts und Wärmemanagement ermöglicht.

Welche Diodencharakteristik sollte für die umgekehrte Leitfähigkeit berücksichtigt werden?


Die intrinsische Diode weist eine Durchlassspannung von 1,2 V auf, die Leitungsverluste während Freilaufintervallen anzeigt.

Wie viele elektrische Anschlüsse stehen am Gerät zur Verfügung?


Die Komponente verfügt über 16 Pins zur Unterstützung von Gate-, Drain- und Source-Routing für Hochstrom-Board-Designs.

Welchen Halbleiterkanal und welche Betriebsart wird verwendet?


Das Gerät verwendet einen N-Typ-Kanal, der im Enhancement-Modus arbeitet und für Standard-MOSFET-Gate-Drive-Architekturen geeignet ist.

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