Infineon IPTC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 330 A 300 W, 16-Pin IPTC014N08NM5ATMA1 HDSOP

RS Best.-Nr.:: 233-4375
Herst. Teile-Nr.:: IPTC014N08NM5ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon IPTC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 330 A 300 W, 16-Pin IPTC014N08NM5ATMA1 HDSOP

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 233-4375
Herst. Teile-Nr.:: IPTC014N08NM5ATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	330A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	80V
	Gehäusegröße	HDSOP
	Serie	IPTC
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	16
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	1.4mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	144nC
	Maximale Verlustleistung Pd	300W
	Durchlassspannung Vf	1V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Länge	10.1mm
	Breite	10.3 mm
	Höhe	2.35mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 330A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 80V
	Gehäusegröße HDSOP
	Serie IPTC
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 16
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.4mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 144nC
	Maximale Verlustleistung Pd 300W
	Durchlassspannung Vf 1V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Länge 10.1mm
	Breite 10.3 mm
	Höhe 2.35mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPTC014N08NM5ATMA1

Der Infineon IPTC014N08NM5 ist Teil des OptiMOS 5 Leistungs-MOSFET in TOLT in diesem TO-Leadded Top Side Cooling Gehäuse für überlegene Wärmeleistung. Dieses innovative Gehäuse in Kombination mit den Hauptmerkmalen der OptiMOS 5-Technologie ermöglicht erstklassige Produkte mit 80 V sowie einen hohen Nennstrom von 300 A für Designs mit hoher Leistungsdichte. Mit der Top Side Cooling Einrichtung wird der Abfluss an der Oberfläche des Gehäuses freigelegt und 95 Prozent der Wärmeableitung können direkt auf den Kühlkörper aufgebracht werden, um 20 Prozent besseren RthJA und 50 Prozent verbesserten RthJC im Vergleich zum TOLL-Gehäuse zu erreichen. Mit Kühlgehäusen an der Unterseite wie TOLL oder D2PAK wird die Wärme über die Leiterplatte an den Kühlkörper abgegeben, was zu hohen Leistungsverlusten führt.

Negative Abstandhalter

Einsparung im Kühlsystem

Erhöhte Systemeffizienz für längere Batterie

Infineon IPTC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 330 A 300 W, 16-Pin IPTC014N08NM5ATMA1 HDSOP

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