Infineon IPTC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 396 A 375 W, 16-Pin IPTC012N08NM5ATMA1 HDSOP

RS Best.-Nr.:: 233-4373
Herst. Teile-Nr.:: IPTC012N08NM5ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon IPTC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 396 A 375 W, 16-Pin IPTC012N08NM5ATMA1 HDSOP

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 233-4373
Herst. Teile-Nr.:: IPTC012N08NM5ATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	396A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	80V
	Serie	IPTC
	Gehäusegröße	HDSOP
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	16
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	1.2mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	175nC
	Maximale Verlustleistung Pd	375W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	10.1mm
	Breite	10.3 mm
	Höhe	2.35mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 396A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 80V
	Serie IPTC
	Gehäusegröße HDSOP
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 16
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.2mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 175nC
	Maximale Verlustleistung Pd 375W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Länge 10.1mm
	Breite 10.3 mm
	Höhe 2.35mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPTC012N08NM5ATMA1

Der Infineon IPTC012N08NM5 ist Teil des OptiMOS 5 Leistungs-MOSFET in TOLT in diesem TO-Leadded Top Side Cooling Gehäuse für überlegene Wärmeleistung. Dieses innovative Gehäuse in Kombination mit den Hauptmerkmalen der OptiMOS 5-Technologie ermöglicht erstklassige Produkte mit 80 V sowie einen hohen Nennstrom von 300 A für Designs mit hoher Leistungsdichte. Mit der Top Side Cooling Einrichtung wird der Abfluss an der Oberfläche des Gehäuses freigelegt und 95 Prozent der Wärmeableitung können direkt auf den Kühlkörper aufgebracht werden, um 20 Prozent besseren RthJA und 50 Prozent verbesserten RthJC im Vergleich zum TOLL-Gehäuse zu erreichen. Mit Kühlgehäusen an der Unterseite wie TOLL oder D2PAK wird die Wärme über die Leiterplatte an den Kühlkörper abgegeben, was zu hohen Leistungsverlusten führt.

Negative Abstandhalter

Einsparung im Kühlsystem

Erhöhte Systemeffizienz für längere Batterie

Infineon IPTC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 396 A 375 W, 16-Pin IPTC012N08NM5ATMA1 HDSOP

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