Infineon IPTC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 354 A 375 W, 16-Pin HDSOP
- RS Best.-Nr.:
- 233-4378
- Herst. Teile-Nr.:
- IPTC015N10NM5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | CHF.5.901 | CHF.11.79 |
| 10 - 18 | CHF.5.25 | CHF.10.50 |
| 20 - 48 | CHF.4.893 | CHF.9.79 |
| 50 - 98 | CHF.4.536 | CHF.9.07 |
| 100 + | CHF.4.242 | CHF.8.50 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 233-4378
- Herst. Teile-Nr.:
- IPTC015N10NM5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 354A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | IPTC | |
| Gehäusegröße | HDSOP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 16 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 375W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 166nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 10.3 mm | |
| Länge | 10.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 2.35mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 354A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie IPTC | ||
Gehäusegröße HDSOP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 16 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 375W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 166nC | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 10.3 mm | ||
Länge 10.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 2.35mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon IPTC015N10NM5 ist Teil des OptiMOS 5 Leistungs-MOSFET in TOLT in diesem TO-Leadded Top Side Cooling Gehäuse für überlegene Wärmeleistung. Dieses innovative Gehäuse in Kombination mit den Hauptmerkmalen der OptiMOS 5-Technologie ermöglicht erstklassige Produkte mit 100 V sowie eine hohe Nennstromaufnahme von 300 A für Designs mit hoher Leistungsdichte. Mit der Top Side Cooling Einrichtung wird der Abfluss an der Oberfläche des Gehäuses freigelegt und 95 Prozent der Wärmeableitung können direkt auf den Kühlkörper aufgebracht werden, um 20 Prozent besseren RthJA und 50 Prozent verbesserten RthJC im Vergleich zum TOLL-Gehäuse zu erreichen. Mit Kühlgehäusen an der Unterseite wie TOLL oder D2PAK wird die Wärme über die Leiterplatte an den Kühlkörper abgegeben, was zu hohen Leistungsverlusten führt.
Negative Abstandhalter
Einsparung im Kühlsystem
Erhöhte Systemeffizienz für längere Batterie
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