Infineon IPT N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 100 V / 365 A 375 W, 16-Pin HDSOP

RS Best.-Nr.:: 259-2730
Herst. Teile-Nr.:: IPTC014N10NM5ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon IPT N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 100 V / 365 A 375 W, 16-Pin HDSOP

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 259-2730
Herst. Teile-Nr.:: IPTC014N10NM5ATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	365A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Gehäusegröße	HDSOP
	Serie	IPT
	Montageart	SMD
	Pinanzahl	16
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	1.4mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Maximale Verlustleistung Pd	375W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	168nC
	Durchlassspannung Vf	880mV
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	RoHS, IEC 61249-2-21
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 365A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Gehäusegröße HDSOP
	Serie IPT
	Montageart SMD
	Pinanzahl 16
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.4mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Maximale Verlustleistung Pd 375W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 168nC
	Durchlassspannung Vf 880mV
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen RoHS, IEC 61249-2-21
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPTC014N10NM5ATMA1

MOSFET der IPT-Serie von Infineon, 100 V maximale Drain-Source-Spannung, 365 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPTC014N10NM5ATMA1

Dieser MOSFET ist ein N-Kanal-Transistor mit Enhancement-Modus, der für Hochstromschaltungen in anspruchsvollen elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er funktioniert in einem breiten Umgebungsbereich und ist für die Montage auf einer flachen Leiterplatte konzipiert und bietet eine hohe Leistungsaufnahme für Anwendungen, die eine robuste Leitfähigkeit und thermische Beständigkeit erfordern.

Merkmale und Vorteile:

• Niedriger Leitungswiderstand reduziert Einschaltverluste für eine effiziente Stromübertragung
• Hoher kontinuierlicher Ablassstrom ermöglicht einen dauerhaften Betrieb mit hohem Strom
• Die Verlustleistung von 375 W unterstützt Schaltvorgänge mit hoher Leistung
• 168nC Gate-Ladung gleicht Treibenergie und Schaltdynamik aus
• Breiter Betriebstemperaturbereich ermöglicht den Betrieb in extremen Umgebungen

Anwendungsbereich

• Geeignet für Hochstrom-Motorantriebsstufen
• Ideal für Stromversorgungs-Ausgangsstufen und Wandler
• Wird mit Batteriemanagement für Schaltkreise mit hoher Entladung verwendet
• Kann für industrielle Wechselrichter-Schaltbaugruppen verwendet werden

Welche Gate-Spannungstoleranz sollte während des Betriebs eingehalten werden?

Das Gate darf eine Spitze von 20 V in Bezug auf die Quelle nicht überschreiten, um Schäden zu vermeiden.

Wie bewältigt das Gerät thermische Belastungen im Dauerbetrieb?

Es kann bis zu 375 W ableiten, sofern ein geeignetes Wärmemanagement und eine Kühlung des Boards angewendet werden.

Welche Widerstandsleistung kann bei Leitungsverlusten erwartet werden?

Der Einschaltwiderstand ist auf 1,4 mΩ angegeben, was niedrige Leitungsverluste unter Nennbedingungen definiert.

Welchen extremen Temperaturen kann es während der Lagerung oder Verwendung standhalten?

Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz über einen sehr breiten Temperaturbereich.