Infineon IPTC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 330 A 300 W, 16-Pin HDSOP
- RS Best.-Nr.:
- 233-4374
- Herst. Teile-Nr.:
- IPTC014N08NM5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 1800 Stück)*
CHF.5’027.40
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 06. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 1800 + | CHF.2.793 | CHF.5’034.96 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 233-4374
- Herst. Teile-Nr.:
- IPTC014N08NM5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 330A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | IPTC | |
| Gehäusegröße | HDSOP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 16 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 144nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 300W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 2.35mm | |
| Breite | 10.3 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 330A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie IPTC | ||
Gehäusegröße HDSOP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 16 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 144nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 300W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 2.35mm | ||
Breite 10.3 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon IPTC014N08NM5 ist Teil des OptiMOS 5 Leistungs-MOSFET in TOLT in diesem TO-Leadded Top Side Cooling Gehäuse für überlegene Wärmeleistung. Dieses innovative Gehäuse in Kombination mit den Hauptmerkmalen der OptiMOS 5-Technologie ermöglicht erstklassige Produkte mit 80 V sowie einen hohen Nennstrom von 300 A für Designs mit hoher Leistungsdichte. Mit der Top Side Cooling Einrichtung wird der Abfluss an der Oberfläche des Gehäuses freigelegt und 95 Prozent der Wärmeableitung können direkt auf den Kühlkörper aufgebracht werden, um 20 Prozent besseren RthJA und 50 Prozent verbesserten RthJC im Vergleich zum TOLL-Gehäuse zu erreichen. Mit Kühlgehäusen an der Unterseite wie TOLL oder D2PAK wird die Wärme über die Leiterplatte an den Kühlkörper abgegeben, was zu hohen Leistungsverlusten führt.
Negative Abstandhalter
Einsparung im Kühlsystem
Erhöhte Systemeffizienz für längere Batterie
Verwandte Links
- Infineon IPTC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 330 A 300 W, 16-Pin HDSOP
- Infineon IPTC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 279 A 300 W, 16-Pin HDSOP
- Infineon IPTC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 396 A 375 W, 16-Pin HDSOP
- Infineon IPTC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 354 A 375 W, 16-Pin HDSOP
- Infineon IAUS300N08S5N011T Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 400 A, 16-Pin HDSOP
- Infineon IAUS300N08S5N014T Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 327 A, 16-Pin HDSOP
- Infineon IAUS300N08S5N012T Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 400 A, 16-Pin HDSOP
- Infineon IAUS260N10S5N019T Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 260 A, 16-Pin HDSOP