Infineon IPTC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 330 A 300 W, 16-Pin HDSOP

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:
233-4374
Herst. Teile-Nr.:
IPTC014N08NM5ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

330A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

IPTC

Gehäusegröße

HDSOP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

16

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

144nC

Maximale Verlustleistung Pd

300W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

10.3 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.1mm

Höhe

2.35mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon IPTC014N08NM5 ist Teil des OptiMOS 5 Leistungs-MOSFET in TOLT in diesem TO-Leadded Top Side Cooling Gehäuse für überlegene Wärmeleistung. Dieses innovative Gehäuse in Kombination mit den Hauptmerkmalen der OptiMOS 5-Technologie ermöglicht erstklassige Produkte mit 80 V sowie einen hohen Nennstrom von 300 A für Designs mit hoher Leistungsdichte. Mit der Top Side Cooling Einrichtung wird der Abfluss an der Oberfläche des Gehäuses freigelegt und 95 Prozent der Wärmeableitung können direkt auf den Kühlkörper aufgebracht werden, um 20 Prozent besseren RthJA und 50 Prozent verbesserten RthJC im Vergleich zum TOLL-Gehäuse zu erreichen. Mit Kühlgehäusen an der Unterseite wie TOLL oder D2PAK wird die Wärme über die Leiterplatte an den Kühlkörper abgegeben, was zu hohen Leistungsverlusten führt.

Negative Abstandhalter

Einsparung im Kühlsystem

Erhöhte Systemeffizienz für längere Batterie

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