Infineon Doppelt HEXFET N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 70 A 50 W, 8-Pin PQFN

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RS Best.-Nr.:
229-1740
Herst. Teile-Nr.:
AUIRFN8459TR
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

70A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

PQFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5.9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Verlustleistung Pd

50W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

40nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

5.85mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.2mm

Länge

5mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Zweikanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET von Infineon in einem 5 x 6-L-PQFN-Gehäuse ermöglicht wiederholte Lawinen bis zu Tjmax. Er hat eine schnelle Schaltgeschwindigkeit und ist bleifrei.

Er ist RoHS-konform

Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C

Er hat einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand

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