onsemi SUPERFET III Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 650 V / 10 A 39 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 229-6323
- Herst. Teile-Nr.:
- FCPF360N65S3R0L-F154
- Marke:
- onsemi
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|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.3.339 | CHF.16.69 |
| 50 - 95 | CHF.2.877 | CHF.14.38 |
| 100 + | CHF.2.489 | CHF.12.46 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 229-6323
- Herst. Teile-Nr.:
- FCPF360N65S3R0L-F154
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | SUPERFET III | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 360mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 18nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 39W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 4.8mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 16.2mm | |
| Breite | 10.4 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie SUPERFET III | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 360mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 18nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 39W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 4.8mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 16.2mm | ||
Breite 10.4 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die on Semiconductor SUPER FET-Serie ist ein brandneuer Hochspannungs-Super-Junction-MOSFET, der Ladungsausgleichstechnologie für einen hervorragenden niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine geringere Gate-Ladungsleistung nutzt. Diese Advanced Technology ist auf die Minimierung von Leitungsverlusten ausgelegt, bietet eine überlegene Schaltleistung und hält extremen dv/dt-Rate stand.
Niedrige effektive Ausgangskapazität
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Bleifrei
RoHS-konform
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