onsemi NBTLS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 80 V / 203 A 167 W, 8-Pin M0-299A
- RS Best.-Nr.:
- 229-6448
- Herst. Teile-Nr.:
- NTBLS1D7N08H
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
CHF.10.08
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 28. August 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF.5.04 | CHF.10.09 |
| 20 - 198 | CHF.4.347 | CHF.8.69 |
| 200 + | CHF.3.78 | CHF.7.55 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 229-6448
- Herst. Teile-Nr.:
- NTBLS1D7N08H
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 203A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | M0-299A | |
| Serie | NBTLS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.7mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 121nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 167W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 9.9mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 2.4 mm | |
| Länge | 11.78mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 203A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße M0-299A | ||
Serie NBTLS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.7mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 121nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 167W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 9.9mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 2.4 mm | ||
Länge 11.78mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der on Semiconductor N-Kanal-Leistungs-MOSFET verfügt über einen niedrigen Betriebswiderstand und eine niedrige Gate-Ladung. Er hat 203 A Drain-Strom. Er wird in Elektrowerkzeugen, Batterie betriebenen Staubsaugern, UAV/Drohnen, Materialhandhabung, BMS/Lagerung und Heimautomatisierung eingesetzt.
Minimierung von Leitungsverlusten
Minimiert Treiberverluste
Niedriges Schaltgeräusch/EMI
Verwandte Links
- onsemi NBTLS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 80 V / 203 A 167 W, 8-Pin M0-299A
- onsemi NBTLS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 187 A 316 W, 8-Pin MO-299A
- onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 313 A 167 W, 8-Pin DFN
- onsemi NTMFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 276 A 167 W, 8-Pin SO-8FL
- onsemi NTMJS0D9N04CL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 330 A 167 W, 8-Pin LFPAK
- onsemi NTMJS1D6N06CL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 250 A 167 W, 8-Pin LFPAK
- onsemi NVMFS6H800N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 203 A 200 W, 5-Pin DFN
- onsemi NTMFS6H800N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 203 A 200 W, 5-Pin DFN