onsemi NBTLS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 187 A 316 W, 8-Pin MO-299A

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Herst. Teile-Nr.:
NTBLS4D0N15MC
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

187A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

MO-299A

Serie

NBTLS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

316W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

90.4nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

11.58mm

Höhe

2.2mm

Breite

9.2 mm

Automobilstandard

Nein

Der on Semiconductor Single N-Kanal MOSFET hat eine Ablass-zu-Quell-Nennspannung von 150 V und einen Dauerablassstrom von 187 A. Diese Geräte sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform.

Der Widerstand zwischen Drain und Quelle bei eingeschaltetem Zustand beträgt 4,4 mohm

Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten

Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten

Niedriges Schaltgeräusch / EMI

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