onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 150 V / 165 A 292 W, 8-Pin DFN

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RS Best.-Nr.:
229-6504
Herst. Teile-Nr.:
NVMTS4D3N15MC
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

165A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

DFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.45mΩ

Channel-Modus

N

Maximale Verlustleistung Pd

292W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

79nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

9.42mm

Länge

8.1mm

Breite

1.2 mm

Automobilstandard

Nein

Der on Semiconductor-MOSFET für industrielle Anwendungen in einem 8 x 8 mm flachen Kabelgehäuse für kompakte und effiziente Designs und einschließlich hoher Wärmeleistung. Benetzbare Flanke für verbesserte optische Inspektion. Er wird in der Batterie des Umkehrhebels, in Schaltnetzteilen und in Netzschaltern verwendet.

Kompaktes Design

Minimierung von Leitungsverlusten

Minimiert Treiberverluste

Verbesserte optische Inspektion

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