onsemi SUPERFET V Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 33 A 184 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 230-9089
- Herst. Teile-Nr.:
- NTHL099N60S5
- Marke:
- onsemi
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 33A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | SUPERFET V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 99mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 48nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 184W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 15.87mm | |
| Höhe | 41.07mm | |
| Breite | 4.82 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 33A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie SUPERFET V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 99mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 48nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 184W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 15.87mm | ||
Höhe 41.07mm | ||
Breite 4.82 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der SuperFET-V-MOSFET der on Semiconductor Serie ist die 5. Generation von Hochspannungs-Super-Junction (SJ) MOSFET-Familie von on Semiconductor. SuperFET V bietet erstklassige FOMs (RDS(ON)·QG und RDS(ON)·EOSS) zur Verbesserung nicht nur der Schwerlast, sondern auch der geringen Lasteffizienz. Die Serie 600 V SUPERET V bietet Designvorteile durch geringere Leitungs- und Schaltverluste, während sie extreme MOSFET-DVDs/dt-Nennwerte bei 120 V/ns und hohe Gehäusedioden-DVDs/dt-Nennwerte bei 50 V/ns unterstützt. Daher kombiniert die SuperFET V MOSFET Easy Drive-Serie eine ausgezeichnete Schaltleistung ohne Einbußen bei der Benutzerfreundlichkeit für harte und weiche Schalttopologien. Es hilft bei der Bewältigung von EMI-Problemen und ermöglicht eine einfachere Designimplementierung mit ausgezeichneter Systemeffizienz.
Ultraniedrige Gatterladung (typ. QG = 48 nC)
Geringe Schaltverluste
Niedrige zeitbezogene Ausgangskapazität (typ. COSS(tr.)= 642 pF)
Geringe Schaltverluste
Optimierte Kapazität
Geringer Vds-Spitzenwert und geringere Vgs-Oszillation
650 V @ TJ = 150 °C
Typ. RDS(on) = 79,2 m Ω
100 % Lawinengeprüft
RoHS-kompatibel
Interner Gate-Widerstand: 6,9 Ω
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