Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 66 A 60 W, 8-Pin ISC0602NLSATMA1 SO-8

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

CHF.10.71

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 4’995 Einheit(en) mit Versand ab 01. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 45CHF.2.142CHF.10.71
50 - 120CHF.1.932CHF.9.65
125 - 245CHF.1.796CHF.9.00
250 - 495CHF.1.67CHF.8.36
500 +CHF.1.565CHF.7.81

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
232-6749
Herst. Teile-Nr.:
ISC0602NLSATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

66A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

OptiMOS 5

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

9.5mΩ

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

60W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

22nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

5.35mm

Länge

6.1mm

Breite

1.2 mm

Automobilstandard

Nein

Der OptiMOS PD Leistungs-MOSFET von Infineon 80 V wurde für USB-PD- und Adapteranwendungen entwickelt. Das SuperSO8-Gehäuse bietet eine schnelle Inbetriebnahme und optimierte Vorlaufzeiten. OptiMOS-Niederspannungs-MOSFETs für die Stromversorgung ermöglichen Designs mit weniger Teilen, was zu einer Reduzierung der BOM-Kosten führt. OptiMOS PD bietet hochwertige Produkte in kompakten, leichten Gehäusen.

Logikpegel-Verfügbarkeit

Ausgezeichnetes thermisches Verhalten

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Verwandte Links