Infineon IPTC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 279 A 300 W, 16-Pin IPTC019N10NM5ATMA1 HDSOP

RS Best.-Nr.:: 233-4380
Herst. Teile-Nr.:: IPTC019N10NM5ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon IPTC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 279 A 300 W, 16-Pin IPTC019N10NM5ATMA1 HDSOP

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

CHF.12.978

Auf Lager

Zusätzlich 1’542 Einheit(en) mit Versand ab 06. Januar 2026

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
2 - 18	CHF.6.489	CHF.12.98
20 - 48	CHF.5.775	CHF.11.55
50 - 98	CHF.5.387	CHF.10.77
100 - 198	CHF.4.998	CHF.10.00
200 +	CHF.4.673	CHF.9.35

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 233-4380
Herst. Teile-Nr.:: IPTC019N10NM5ATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	279A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Serie	IPTC
	Gehäusegröße	HDSOP
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	16
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	1.9mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	1V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	128nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	300W
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	10.3 mm
	Höhe	2.35mm
	Länge	10.1mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 279A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Serie IPTC
	Gehäusegröße HDSOP
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 16
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.9mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 1V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 128nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 300W
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Breite 10.3 mm
	Höhe 2.35mm
	Länge 10.1mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPTC019N10NM5ATMA1

Der Infineon IPTC019N10NM5 ist Teil des OptiMOS 5 Leistungs-MOSFET in TOLT in diesem TO-Leadded Top Side Cooling Gehäuse für überlegene Wärmeleistung. Dieses innovative Gehäuse in Kombination mit den Hauptmerkmalen der OptiMOS 5-Technologie ermöglicht erstklassige Produkte mit 100 V sowie eine hohe Nennstromaufnahme von 300 A für Designs mit hoher Leistungsdichte. Mit der Top Side Cooling Einrichtung wird der Abfluss an der Oberfläche des Gehäuses freigelegt und 95 Prozent der Wärmeableitung können direkt auf den Kühlkörper aufgebracht werden, um 20 Prozent besseren RthJA und 50 Prozent verbesserten RthJC im Vergleich zum TOLL-Gehäuse zu erreichen. Mit Kühlgehäusen an der Unterseite wie TOLL oder D2PAK wird die Wärme über die Leiterplatte an den Kühlkörper abgegeben, was zu hohen Leistungsverlusten führt.

Negative Abstandhalter

Einsparung im Kühlsystem

Erhöhte Systemeffizienz für längere Batterie

Infineon IPTC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 279 A 300 W, 16-Pin IPTC019N10NM5ATMA1 HDSOP

Verwandte Links