Infineon IPTG Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 366 A 375 W, 8-Pin IPTG014N10NM5ATMA1 HSOG
- RS Best.-Nr.:
- 233-4387
- Herst. Teile-Nr.:
- IPTG014N10NM5ATMA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | CHF.5.156 | CHF.10.31 |
| 10 - 18 | CHF.4.536 | CHF.9.07 |
| 20 - 48 | CHF.4.221 | CHF.8.44 |
| 50 - 98 | CHF.3.917 | CHF.7.83 |
| 100 + | CHF.3.654 | CHF.7.32 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 233-4387
- Herst. Teile-Nr.:
- IPTG014N10NM5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 366A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | HSOG | |
| Serie | IPTG | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 375W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 169nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 8.75 mm | |
| Länge | 10.1mm | |
| Höhe | 2.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 366A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße HSOG | ||
Serie IPTG | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 375W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 169nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 8.75 mm | ||
Länge 10.1mm | ||
Höhe 2.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon OptiMOS Leistungs-MOSFET IPTG014N10NM5 kommt in einem verbesserten TO-Leid-Gehäuse mit Gullwing-Leitungen. Mit einer kompatiblen Abmessung bis TO-Leadless ermöglicht TOLG eine ausgezeichnete elektrische Leistung im Vergleich zu D2PAK 7-polig mit ∼60 Prozent Platzersparnis auf der Platine. Dieses neue Gehäuse in OptiMOS 5-100 V bietet einen sehr niedrigen RDS(on) und ist für hohe Ströme von 300 A optimiert Die Flexibilität von Gullwing-Leitungen, das OptiMOS-TOLG-Gehäuse, zeigt eine ausgezeichnete Zuverlässigkeit der Lötverbindung auf der Al-IMS-Platine.
Hoher Wirkungsgrad und geringere elektromagnetische Störungen
Hohe Leistungsfähigkeit
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